При уменьшении размеров и увеличении числа транзисторов на чипе необходимо пропорционально уменьшать толщину и ширину межсоединений, что приводит к увеличению их сопротивления, а, следовательно, снижению быстродействия схемы. Благодаря нанотехнологии становится актуальной замена меди в межсоединениях на материал с меньшим удельным сопротивлением. Как перспектива, рассматриваются металлические углеродные нанотрубки.

В совместной работе исследователей Стэнфордского университета (Stanford Univ.) и компании Toshiba впервые на кремниевой подложке изготовлены интегральные схемы (ИС), содержащие кремниевые транзисторы и межсоединения, выполненные из металлических углеродных нанотрубок [1,2]. Мы уже писали об этом, но стали известны интересные технические детали, поэтому расскажем об открытии подробнее.