Уникальную установку планируется создать для преодоления технологического порога оптической литографии в современной микроэлектронике на базе синхротрона СКИФ под Новосибирском, запуск которого планируется в 2026 году. Она позволит создать технологию для производства российских процессоров нового уровня, сообщили ТАСС в пресс-службе Новосибирского госуниверситета (НГУ).

Сибирский кольцевой источник фотонов (СКИФ) — первый в России и самый мощный в мире источник синхротронного излучения четвертого поколения. Установка позволит получать сверхточные данные о структуре и поведении вещества. Запуск СКИФ был перенесен с 2024 года на конец 2025. В конце января председатель СО РАН Валентин Пармон сообщал о том, что пуск синхротрона ожидается до середины лета. Президент РФ Владимир Путин во время прямой линии 19 декабря сказал, что постарается приехать на открытие.

«В НГУ ученые представили проектное видение создания отечественного опытного рентгеновского литографа „Орел-7“. Уникальную установку мирового уровня предлагается создать как элемент инфраструктуры СКИФ и использовать для преодоления принципиальных технологических ограничений передовой микроэлектроники. Ожидается, что реализация проекта позволит отечественной промышленности перескочить технологический предел в 28 нанометров и значительно продвинуться в направлении создания суверенной технологии производства массовых российских процессоров топ-уровня», — рассказали в пресс-службе.

Предел в 28 нанометров — это обозначение технологического процесса в производстве полупроводников. Оно указывает на плотность размещения транзисторов на чипе: чем меньше значение, тем выше производительность и ниже энергопотребление.

На базе СКИФ планируется создать специализированную рентгеновскую станцию для работы литографического оборудования нового типа, поскольку литография — ключевая технология производства микросхем. Повышение разрешающей способности возможно при переходе в более коротковолновую область, в том числе в рентгеновский диапазон. Рентгеновская литография позволит формировать сверхминиатюрные структуры, обеспечивая высокое разрешение при сохранении производительности и удешевлении, отметили в НГУ.

О планах по реализации проекта

Планируется, что в центре искусственного интеллекта будут создаваться цифровые двойники промышленного оборудования для того, чтобы ускорить разработку литографа. Параллельно участники проекта намерены задействовать научный потенциал институтов СО РАН в области физики полупроводников и математического моделирования.

«Совместная работа должна привести к созданию оборудования, которое позволит российской микроэлектронике выйти далеко за предел 28 нанометров. Это критически важный рубеж для третьего перехода в микроэлектронике (первый переход — от видимого к глубокому ультрафиолетовому излучению, второй — к экстремальному ультрафиолетовому излучению)», — подчеркнул один из авторов проекта, научный сотрудник Центра искусственного интеллекта НГУ и заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО РАН Дмитрий Щеглов.

Предполагается, что опытный образец литографа будет создан на базе СКИФ, где можно будет детально изучить физику процессов и отработать технологические параметры. Аналогичное оборудование планируется параллельно разворачивать на синхротроне в Зеленограде уже для целей отладки промышленного использования.