"Новая микросхема Samsung выполнена с применением архитектуры "ловушек заряда" (Charge Trap Flash, CTF), что позволило, как отмечают разработчики, существенно снизить шумы внутри ячеек памяти. В перспективе можно будет продолжить наращивание плотности путём внедрения 30-нанометровой и даже 20-нанометровой технологий производства.
Управляющий затвор новой микросхемы по площади в пять раз меньше затворов традиционных чипов NAND. Плавающий затвор в микросхеме Samsung на основе технологии CTF отсутствует. Вместо этого для удержания данных используется специальная "камера хранения" (holding chamber), формируемая непроводящим слоем флэш-памяти на основе нитрида кремния. В целом, память на базе технологии CTF должна обладать более высокой надёжностью по сравнению с современными чипами."