Разработанные по данной технологии высокотемпературные компоненты найдут применение в приборах, работающих в экстремальных условиях, при управлении химическими процессами, а также для усиления и обработки сигналов датчиков в промышленном оборудовании, работающем при повышенных температурах в нефтегазовой промышленности, энергетике и промышленной автоматике.

Базовая технология изготовления таких микросхем уже существует, есть она и у «Микрона», но для работ в условиях высоких температур нужна модернизация её отдельных блоков. В основе технологии лежит использование специальных материалов – структур «кремний на изоляторе» (КНИ), микроплёночных конденсаторов. Но главное – это изменения в системах металлизации микросхем, необходимые для того, чтобы они выдерживали повышенную температуру и нагрузку. «Это требует разработки каждого элемента, формирования новых правил проектирования, библиотек элементов.

Конечная цель в том, чтобы любой схемотехник, которому нужно разработать и произвести такой комплект микросхем или их серию на заводе, смог получить открытый доступ к технологической базе, библиотеке элементов и правилам проектирования», – уточнил директор ЗНТЦ.

Сейчас такая элементная база востребована не только в ракетно-космической технике, но и в приборостроении для нефтегазовой промышленности, энергетике и двигателестроении
В ходе выполнения проекта разрабатываются две основные технологии с проектными нормами 180 нанометров (0,18 микрон) и 0,5 микрон. НИУ МИЭТ отвечает за прикладные научные исследования и часть экспериментальных работ, включающих компьютерное моделирование технологических параметров, изготовление и испытание макетов, разработку правил проектирования, обобщение результатов. А Зеленоградский наноцентр отрабатывает технологические маршруты на линии. «Мы проектируем библиотеку элементов, а также разрабатываем технологию тонкоплёночных MIM-конденсаторов. Это сложный технологический приём с использованием атомно-слоевого осаждения (в английской транскрипции – ALD) для высокотемпературной электроники», – сказал Анатолий Ковалёв. На площадке Зеленоградского наноцентра будет реализовываться мелкосерийное производство специализированных групп изделий. А на «Микроне», где апробируются обе технологии, планируется наладить серийный выпуск высокотемпературной ЭКБ с проектными нормами 180 нанометров и 90 нанометров.

«Очень важно, что по окончании проекта интеллектуальная собственность будет принадлежать российским разработчикам, – отметил Анатолий Ковалёв. –

Мы хотим замкнуть всю технологическую цепочку от разработки до испытаний в России и рассчитываем, что изделия с использованием модернизированной базовой технологии будут серийно производиться на «Микроне» и на нашей площадке».

Разработка же принципиально новых по назначению и техническим параметрам приборов с использованием высокотемпературной микроэлектроники потребует дополнительного времени – стандартный цикл разработки элементно-компонентной базы составляет примерно 2–2,5 года. И это перспектива будущих проектов.