Уже сейчас технологию RRAM памяти можно реализовать при комнатной температуре с использованием современных устройств, что позволяет многим производителям заняться серийным производством таких устройств уже в ближайшее время. На разработку RRAM чипов у ученых ушло порядка пяти лет. В качестве основного материала при производстве такого типа памяти ученые использовали оксид кремния. Этот материал был выбран не случайно, он является не только энергоэффективным, но и обладает чрезвычайной плотностью памяти.