Новый дешевый метод изготовления пластин на основе арсенида галлия — полупроводника, превосходящего традиционный кремний по многим параметрам, разработали ученые, сообщается в статье, опубликованной в журнале Nature в четверг.

В публикации исследователи поясняют, что метод может быть использован для создания нового поколения многих устройств, в том числе и коммерчески оправданного производства солнечных батарей с высокой эффективностью.

Основным ограничением к массовому использованию арсенида галлия является его стоимость, которая во многом определяется существующими технологиями его обработки.

Авторы публикации, группа ученых под руководством Джона Роджерса (John Rogers) из Иллинойского университета в Урбане-Шампейн, США, разработали технологию, позволяющую обойти наиболее дорогостоящую стадию изготовления арсенида галлия.

Дело в том, что обычно этот полупроводник выпускается в виде толстых пластин, которые нарезаются на фрагменты в соответствии с дальнейшими производственными нуждами, тогда как для применения в солнечных батареях достаточно даже очень тонкого полупроводника. Таким образом, большая часть материала, образующего толстые полупроводниковые пластины, просто не работает.

Для того, чтобы изготовить тонкие пластины, ученые предложили простую и дешевую технологию.