Консорциум Hybrid Memory Cube, в который входят больше 100 компаний, включая IBM, Cray, HP, ARM и двух основателей консорциума — Samsung и Micron — опубликовал окончательную версию спецификации HMC.

Hybrid Memory Cube — принципиально новая архитектура, которая превосходит DDR3 в 10-15 раз по скорости, на 70% по энергоэффективности и в 10 раз по экономии площади на кристалле. Ключевая особенность технологии — расположение управляющей логики и нескольких слоёв ячеек памяти друг над другом, которые соединяются проводниками, проходящими сквозь несколько слоёв кремния. Спецификация предусматривает создание чипов емкостью 2, 4 и 8 гигабайт с максимальной пропускной способностью до 320 гигабайт в секунду. Чипы нового поколения будут востребованы прежде всего в высокопроизводительных серверах и суперкомпьютерах, которые уже сейчас сталкиваются с проблемой недостаточной полосы пропускания подсистемы памяти.