Ученые из Лос-Анджелеса добились значительных улучшений в использовании электрического напряжения, а не электрического тока при создании ультра-быстрой магниторезистивной памяти с высокой пропускной способностью с произвольным доступом или сокращенно MRAM.

Новая технология имеет большой потенциал для будущих чипов памяти в устройствах, таких как смартфоны и ПК, а также для твердотельных накопителей данных. Она сочетает в себе низкую энергию с очень высокой плотностью, высокой скоростью чтения и записи и энергонезависимость — флэш-способности сохранять данные при отсутствии питания.

Она исключает необходимость перемещать большие количества электронов по проводам, что делает систему от 10 до 1000 раз более энерго эффективной. Кроме того, плотность памяти почти в пять раз превышает текущие возможности.

Технология может также позволить новым мгновенным электронным системам с интегрированной памятью, увеличивая мощность в режиме ожидания и улучшая функциональность.