Если срок работы флэш-памяти измеряется примерно 10 тыс. записями, то PCM-чип способен выдержать более 100 млн. циклов записи. По этой причине, кстати, Intel надеется, что память на основе фазового перехода в один прекрасный день заменит динамическую ОЗУ (DRAM-память). Компания Intel объявила о намерении в конце текущего года начать массовое производство модулей сверхбыстрой памяти на основе фазового перехода (phase-change memory, PCM). По замыслу разработчиков, PCM-память должна сменить традиционную флэш-память.