Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) в сотрудничестве с Московским инженерно-физическим институтом (МИФИ) созданы новые наноструктуры, которые позволяют реализовать энергонезависимую магниторезистивную память.

Стремительный процесс миниатюризации полупроводниковых приборов требует новых материалов. В обычной полупроводниковой электронике в качестве носителя информации используется электрический заряд электрона. В так называемой спинтронике в качестве носителя информации предполагается использовать спиновое состояние электрона. Управлять этим состоянием можно с помощью магнитного поля. Представляем только что завершенную работу, в которой получены и исследованы наноструктуры ферромагнетик-изолятор-ферромагнетик на основе FeSix и FeOy. ФИАН и МИФИ давно и плодотворно сотрудничают по ряду направлений. Несколько десятков лет работает Высшая школа физиков ФИАН-МИФИ. Подобная интеграция ведущих исследовательских институтов и вузов является одним из наиболее эффективных путей достижения научных результатов, в ходе которых осуществляется подготовка научных кадров высшей квалификации. Целью работы, выполненной молодым ученым Александром Гойхманом под руководством кандидата физ.-мат. наук Андрея Зенкевича и доктора физ.-мат. наук, профессора, заместителя директора Физического института им. Лебедева РАН Владимира Неволина, была разработка оптимальных условий формирования и функционирования таких наноструктур.

"Среди возможных материалов электрода в элементах магнитной памяти особый интерес представляет использование полуметаллов, которые потенциально могут давать значения спиновой поляризации электронов, близкие к 100%. Однако достижение такого предельного теоретического значения в объемном материале невозможно. А вот свойства предельно тонких слоев совершенно иные, именно в них и возможна реализация максимальных значений спиновой поляризации. При этом критически важна как комбинация материалов ферромагнитных электродов и туннельного изолятора, так и гладкость межслойных границ, да и другие факторы влияют